首页 > 攻略 > 崩坏3禁域连战活动攻略大全 崩坏3禁域连战怎么玩

崩坏3禁域连战活动攻略大全 崩坏3禁域连战怎么玩

2022-10-28 10:21:06 编辑:nmdwsm 来源:互联网

  崩坏3禁域连战是新版推出的全新活动之一,很多小伙伴可能上手不知道怎么活动是怎么玩的,下面给大家带来的是崩坏3禁域连战活动攻略大全,如果还有不知道的小伙伴下面一起来看看吧。

崩坏3禁域连战活动攻略大全

  一、基础介绍

  1、蓄能值

  在虚拟禁域中的战斗中,“蓄能值”是非常重要的机制,它会直接影响「塑能芯片」的增益效果。这些增益效果能帮助我们更快通关,因此对于获取分数有着直接的影响。

  那么,蓄能值机制到底有什么作用?具体来说,蓄能等级越高,芯片带来的增伤加成就越高。所以在战斗中要尽可能的保持较高的蓄能等级。

  如果想要提升和保持较高的蓄能等级,就需要频繁利用每个关卡的特殊效果。关卡效果的生效条件也设置得很简单,比如使用角色QTE,或是打出较高的连击数。

每关都有特定的蓄能机制

  因此,通过击杀敌人或者满足虚拟禁域的特殊关卡效果就可以回复蓄能值,当蓄能值攒满时即可提升蓄能等级。

  需要注意的是,每一级蓄能等级有单独的持续时间,时间到后将会降级,所以实战中还是要经常触发效果来维持等级的。

  什么?你说你不知道芯片是什么,能带来什么效果?又该怎么使用?那快接着往下看吧!

  2、塑能芯片

  通关虚拟禁域可以解锁塑能芯片(统称芯片),而蓄能等级带来的提升效果与目前装备的芯片等级和种类有关。通过养成道具“聚能晶体管”可以提升芯片的等级,增加芯片的增益数值。

  装备不同种类的流派芯片可以获得不同的强力增幅(QTE/高频/必杀/冰冻)。如:在高蓄能等级下,使用QTE流派后可以大幅缩短换人CD,激活QTE时获得高额增益;使用高频流派后,达到一定连击数可以对敌人拥有的次数盾造成多段打击等。

  1)流派芯片

  流派芯片共有四种,每种有四个,共计十六个,但可装配的数量限制则只有六个,所以需要根据芯片加成效果来进行取舍,如:我可以选择三个提升全伤的芯片,而后再选择三个提升物理/元素伤害的芯片,保证自身加伤的全面性。那为什么要保证加伤的全面性呢?

  是因为过多的选择相同加成类型的芯片(如全部选择全伤加成或全部选择元素伤害加成),会因为伤害乘区单一而导致增伤被稀释,使得最终伤害通常会低于多乘区加成的伤害。

  2)基础芯片

  除了以上可以装备的芯片外,还存在两个基础芯片,它们不属于任何流派,不需要装配,不会占用装配槽,购买即生效。通关虚拟禁域EX-1后即可在芯片改造界面购买。基础芯片的养成等级上限与其他芯片一样,随关卡通关进度逐渐提升至6级。

  3)芯片核心

  核心的效果需要装配3个指定流派的芯片才能激活,所以注定了每个流派芯片只能携带三个。基础效果都拥有双穿(物理/元素),区别只在于易伤的乘区:全伤害易伤与属性易伤。与前文相同,核心或芯片的搭配要让增益尽可能的多样化。

  除此之外,不同种类的核心还拥有特殊的效果:芯核协同。每次蓄能等级提升或刷新最高等级时,都将触发芯核协同。这四种核心的芯核协同包括了聚怪、伤害、功能,除了每关推荐的芯片/核心外,还可以根据自己队伍特点去选择第二种芯片/核心。

芯核协同最多可以同时激活2个。

  3、战斗关卡

  本活动的战斗内容分为虚拟禁域(及EX)、深度试炼和日常特训三种关卡。积分共有两种获取方法:一是通关普通虚拟禁域时获得固定积分,另一种则是根据通过虚拟禁域的EX关卡和深度试炼的用时长短来获得不定的积分。

  1)虚拟禁域

  作为活动的“主线”关卡,只有通过了前一关,才会解锁后面的关卡和不同的芯片,如果为了更快的获取积分,建议首选虚拟禁域。

  其中每一关都有着关卡推荐芯片,对着推荐芯片搭配即可,整体难度不高。前期EX关卡得分较低,但因为通关没有积分要求,所以无需担心卡关的情况,后续将芯片等级提升后再来“凹分”即可。

  2)日常特训

共有四个关卡(QTE/高频/必杀/冰冻)

  通过日常特训,可以大量获得升级芯片的材料“聚能晶体管”,且每日奖励上限会随着时间不断增加。日常特训的四个关卡会从QTE开始按照顺序每日轮替,不要着急优先攻略此关卡,先通关主线是关键。

  虽然每日可获得的材料是有限的,但因为没有挑战次数上限,所以即使一次成绩不理想,也可以多次通关获得当日的全部奖励。

  3)深度试炼

  深度试炼也是主要的积分获取来源之一。它会随着虚拟禁域EX关卡逐步开放,与日常特训相同,共有四种不同的关卡效果(QTE/高频/必杀/冰冻),需要选择合适的队伍和芯片搭配通关。

  4、通关顺序

  因为通关虚拟禁域,除了可以获得更多的芯片种类和升级材料,还可以提升芯片的等级上限,所以建议大家优先完成“主线”的关卡来解锁全部的芯片。接下来因为要攻略高难关卡(深度试炼)和凹分(虚拟禁域EX关),所以完成每日的“日常特训”来获得大量的升级材料。最后在准备齐全后,在深度试炼和虚拟禁域EX关“凹分”,获得更多的奖励。

  5、通关技巧

  因为三个芯片即可解锁核心,所以建议大家使用3+3的芯片搭配方式来激活两个核心。

  除了常规的队伍外,还可以使用主C+骇兔+观星的组合,仅需要主C驻场持续输出,通过普攻触发后台角色QTE即可,尤为适合梅比乌斯。γ芯片的加成集中在QTE上场的角色,并非全队,所以芯片建议携带:α/β/δ。

  面对禁域连战中大量的怪物,QTE芯核协同的聚怪效果可以提供很大的帮助,所以QTE核心也是与其他核心相。另一个位置则要因地制宜,根据关卡环境进行选择。最好的。

QTE与必杀/高频的核心加成互补,可以使得伤害最高。

  二、主要奖励

  本次活动属于六周年庆典的范围内,所以奖励也是十分丰厚,在完成周年任务通关EX关卡时,可以获得以下两种周年自选箱、水晶和超限材料等奖励。

  除了完成任务外,完成关卡后还可以获得积分,当积分达到要求后还可以领取环磁机和金属氢在内的材料奖励。

  以上就是崩坏3禁域连战活动攻略大全的全部内容了,希望对喜欢崩坏3的小伙伴有所帮助,更多精彩内容请关注多特手游。

查看崩坏3专区更多内容 >查看更多崩坏3热门攻略 >

崩坏3apk
街机格斗 | 604MB
安卓下载 进入专区
热门标签
精品推荐
最新攻略
最新新闻